专利名称：高介电性薄膜形成用的涂层组合物和高介电性薄膜专利类型：发明专利
发明人：高明天,立道麻有子,向井惠吏,太田美晴,横谷幸治,小
松信之
申请号：CN200980109841.3申请日：20090317公开号：CN101978446A公开日：20110216
摘要：本发明一种能够提高耐电压、绝缘性、介电常数，特别能够减小高温下的介电损失，且能够薄膜化的非多孔质高介电性薄膜；以及含有(A)偏氟乙烯类树脂、(B)纤维素类树脂和(C)溶剂的高介电性薄膜形成用涂层组合物。
申请人：大金工业株式会社
地址：日本大阪府
国籍：JP
代理机构：北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人：龙淳
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