40微电子技术京:清华大学出版社20用户19以)1:参考文献周明德,“2”(兀刊RB193手册北京学苑出版社微型计算机硬件软件及其应用北12藻薰NEC已竣工最先进的半导体研究与开发厂房“NEC相模原事业部场地内的先进半导体研究开发设施运行。“US楼”预计研究开发最窄条宽为0186层楼建筑,一0。价子皿世界最先进的微细加工技术—UC楼”第一期开发线开始。该楼为钢筋混凝土分试制线通线2X(X),,净化间为。3层板结构3期依次建设开发试制线月产3,本次在第6层楼计划建立用于制作018,四条宽以下开发、以洲)块电路、。:其特点是(l)可大幅度减少开发试制日期(2)研究试制贯进行以(3)2X)1(节省能量资源,无公害线。从198年开始进行30。~圆片工艺分析,一年左右批量生产线起动为目标的研究开发(兴)美国IBM公司开发的超精细曝光技术二htyl司比。or开发了采用lo美国BIM公司的ZuirhceRes,428n波长ru,KrF激光可加工8120nm线宽的超精细曝光技术时,。当然。也可加工n条宽ru。但通常采用波长24KnrlF激光加工lson条宽已达极限m:、此项技术是首先采用电子束曝光技术制成与硅圆片上制作的图形尺寸相同的掩模固化后剥离,。。在其上涂敷硅氧烷树脂在加工阶段,我们将此称谓“Li,ghttsm’aP。首先,在硅圆片上涂敷光致抗蚀剂Uhgt再在其上叠加。UhgUtSt田nl)S。当触到来自上方的激光光束时光致抗蚀剂接触,在Stma、。p中激光的可见波长就缩短。由于tghpttmap的凸部分与所以激光渗透抗蚀剂感光这样,而在凹部分u,匕hgSSntla和光致抗蚀剂间存。在空间Stlan,其下的光致抗蚀剂不感光,仅对对应于ghttmap的凸部位部分曝光Ughtp可重复使用1以X)次。(李)